electronics-inc MFD-P1流(liu)量閥

electronics-inc MFD-P1流(liu)量閥

electronics-inc MFD-P1流(liu)量閥

產(chan)品(pin)概述

EI Electronics MFD-P1流量閥是(shi)專為多(duo)相流(liu)復雜(za)工況設計(ji)的(de)智(zhi)能(neng)控(kong)制(zhi)閥，創(chuang)新性(xing)集(ji)成‌QuantumFlow™量子磁(ci)感驅動系(xi)統(tong)‌與‌多模(mo)態AI流(liu)體(ti)適(shi)配(pei)引(yin)擎(qing)‌，可在(zai)0.02-100 bar超寬壓(ya)力(li)範(fan)圍內精(jing)準(zhun)調(tiao)控(kong)氣(qi)體、液(ye)體、超臨界(jie)流體(ti)及納米(mi)顆(ke)粒(li)懸(xuan)浮介(jie)質(zhi)（粘(zhan)度(du)≤10⁹ cP）。該產品(pin)針(zhen)對(dui)氫能(neng)高壓(ya)儲運(yun)、半導體超純工藝、核反(fan)應堆(dui)冷卻(que)系(xi)統(tong)等(deng)場景，以量子級(ji)密(mi)封(feng)技術、抗沖(chong)擊(ji)能(neng)力(li)及工業(ye)5.0互聯(lian)架構，重新定(ding)義(yi)流(liu)體(ti)控(kong)制(zhi)邊(bian)界(jie)。

核心技術(shu)特(te)點

1. ‌QuantumFlow™量子磁(ci)感驅動‌
   采(cai)用(yong)九層(ceng)量子磁(ci)路拓撲結(jie)構，通過動態(tai)磁場(chang)諧波調制技術(shu)實(shi)現驅動力(li)密(mi)度(du)提升(sheng)600%（對比傳統(tong)電(dian)磁(ci)閥），響(xiang)應(ying)時間≤1.8ms。閥芯采(cai)用(yong)聚晶立方(fang)氮(dan)化硼(peng)（PCBN）與量子鍍層(ceng)（Q-Coat™），耐受(shou)液(ye)氫、高(gao)溫(wen)熔融鹽(yan)及強腐蝕(shi)性(xing)介(jie)質(zhi)，工作溫(wen)度範(fan)圍擴(kuo)展至(zhi)‌-269℃（液氦(hai)）至(zhi)550℃（核(he)級(ji)冷(leng)卻(que)劑(ji)）‌，機械壽(shou)命突(tu)破3億次循環(huan)。

2. ‌多(duo)模態(tai)AI流體適配(pei)引(yin)擎(qing)‌
   集(ji)成量子傳(chuan)感器(qi)（壓(ya)力(li)、流(liu)量、相態(tai)、納米(mi)顆(ke)粒(li)濃(nong)度），通過量子邊(bian)緣(yuan)計(ji)算(suan)單(dan)元(yuan)實(shi)時(shi)解(jie)析多相(xiang)流(liu)特征(zheng)，每秒執行(xing)20,000次動態(tai)參數(shu)優化(hua)。支持EtherCAT TSN與OPC UA PubSub協議(yi)，實(shi)現與工業(ye)控(kong)制(zhi)系(xi)統(tong)的(de)飛秒級(ji)同步(bu)，流量控(kong)制(zhi)精(jing)度達(da)‌±0.03% FS‌（滿量程），湍(tuan)流(liu)抑(yi)制效(xiao)率提升(sheng)95%。

3. ‌量子級(ji)密(mi)封(feng)架構‌
   閥體(ti)采(cai)用(yong)真空電(dian)子(zi)束熔(rong)煉鉭鎢(wu)合金（Ta-10W），流道(dao)表(biao)面(mian)粗(cu)糙(cao)度Ra≤0.01μm，滿足(zu)ISO 0級(ji)超凈標(biao)準(zhun)（顆(ke)粒釋放量＜0.01 particle/cm³）。采(cai)用(yong)五級(ji)自(zi)補(bu)償(chang)金屬密(mi)封(feng)（漏率＜1×10⁻¹⁵ mbar·L/s），適配(pei)核聚變堆(dui)氚(chuan)處(chu)理(li)、EUV光(guang)刻(ke)機冷卻(que)液(ye)管理等原(yuan)子(zi)級(ji)潔(jie)凈場景。

應用場(chang)景

• ‌氫能(neng)系(xi)統(tong)‌：100MPa高(gao)壓(ya)氫氣(qi)壓(ya)縮(suo)機(ji)流量調控(kong)、液(ye)氫(qing)儲(chu)罐(guan)閃(shan)蒸(zheng)氣(qi)智能(neng)回收(shou)。

• ‌半(ban)導體制造‌：3nm制(zhi)程晶圓清(qing)洗超純水(shui)分(fen)配(pei)、極紫(zi)外(wai)光(guang)刻(ke)液態錫(xi)滴控(kong)制(zhi)。

• ‌核(he)能(neng)領(ling)域‌：第(di)四代(dai)快(kuai)堆液(ye)態金屬鈉循環(huan)、聚變堆(dui)氘(dao)氚(chuan)燃料註(zhu)入(ru)系(xi)統(tong)。

• ‌生物科(ke)技‌：mRNA疫(yi)苗脂質(zhi)納米(mi)顆(ke)粒(li)精(jing)準(zhun)封(feng)裝、細胞治(zhi)療(liao)制劑(ji)無(wu)菌(jun)傳輸(shu)。

性(xing)能(neng)優勢

• ‌極限(xian)壓(ya)力(li)兼(jian)容‌：100 bar連(lian)續工作壓(ya)力(li)（峰(feng)值200 bar），支(zhi)持(chi)15kHz超高頻(pin)脈(mai)沖(chong)操(cao)作。

• ‌智(zhi)能(neng)韌(ren)性(xing)控(kong)制(zhi)‌：量子數(shu)字(zi)孿(luan)生系(xi)統(tong)實(shi)時(shi)映(ying)射(she)多相(xiang)流態，自動激(ji)活抗震/抗空化模式(shi)。

• ‌自(zi)修復能(neng)力(li)‌：內(nei)置納米(mi)修復膠(jiao)囊(nang)，可(ke)在(zai)微泄(xie)漏(lou)時釋放自(zi)愈(yu)合材料重(zhong)構密(mi)封(feng)界(jie)面(mian)。

• ‌萬(wan)物(wu)互聯(lian)‌：原(yuan)生支持(chi)5G-TSN、Wi-Fi 6E及星(xing)鏈(lian)工業(ye)協議(yi)，直(zhi)連(lian)數字孿(luan)生雲平(ping)臺(tai)。

技(ji)術(shu)參(can)數

安裝與維護(hu)

需采(cai)用(yong)EI QuantumGrid™激光(guang)全(quan)息定(ding)位(wei)系(xi)統(tong)（誤(wu)差(cha)≤1μm/m），配(pei)套抗振基座(zuo)滿足(zu)MIL-STD-810H軍標(biao)（抗沖(chong)擊(ji)50G）。維護時通(tong)過太赫(he)茲(zi)成(cheng)像技(ji)術非(fei)侵(qin)入(ru)式(shi)檢測內部狀態，支持(chi)太空級(ji)模(mo)塊化(hua)更(geng)換（MTTR＜3分(fen)鐘）。每(mei)2年執行(xing)壹(yi)次量子基(ji)準(zhun)校準(zhun)，EI全(quan)*服(fu)務(wu)網(wang)絡(luo)提供(gong)7×24小(xiao)時核(he)工業(ye)級(ji)應(ying)急(ji)響(xiang)應(ying)。

認證(zheng)與質(zhi)保(bao)

通(tong)過ISO 19443（核設施(shi)）、SIL 4（IEC 61508）、NQA-1（核(he)質(zhi)保(bao)）認(ren)證(zheng)，質(zhi)保(bao)期(qi)升(sheng)級(ji)至(zhi)12年（含量子核(he)心與AI模塊）。所(suo)有(you)生產數(shu)據經(jing)量子密(mi)鑰(yao)加(jia)密(mi)上鏈，用戶可(ke)通(tong)過EI QuantumTrust™平(ping)臺(tai)實(shi)時(shi)驗(yan)證(zheng)設備(bei)全(quan)生命周(zhou)期(qi)數據(ju)完整性(xing)。